IRGB4064DPBF和STGP10NC60KD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGB4064DPBF STGP10NC60KD STGP10NB60S

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 101000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STGP10NC60KD  单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 101 W 60 W 80 W

产品系列 IRGB4064D - -

上升时间 15.0 ns 6.00 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 62 ns 22 ns -

额定功率(Max) 101 W 65 W 80 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 20.0 A 10.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电压(Vds) - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A

耗散功率(Max) - 60000 mW 80000 mW

长度 10.66 mm 10.4 mm 10.4 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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