FQI4N90和FQI4N90TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI4N90 FQI4N90TU

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 I2PAK TO-262-3

额定电压(DC) - 900 V

额定电流 - 4.10 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 3.30 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 3.13 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

漏源击穿电压 - 900 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.2A 4.20 A

上升时间 - 70 ns

输入电容(Ciss) - 1100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

下降时间 - 40 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 140W (Tc)

宽度 - 4.5 mm

封装 I2PAK TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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