SNSS35200MR6T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SNSS35200MR6T1G概述

TSOP PNP 35V 2A

Bipolar BJT Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP

得捷:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

立创商城:
SNSS35200MR6T1G

贸泽:
ON Semiconductor SSP LOW VCES 30V NPN XTR

艾睿:
Trans GP BJT PNP 35V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R

Win Source:
TRANS PNP 35V 2A TSOP-6

SNSS35200MR6T1G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 35 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @1.5A, 1.5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SNSS35200MR6T1G

型号： SNSS35200MR6T1G

描述：TSOP PNP 35V 2A

替代型号SNSS35200MR6T1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SNSS35200MR6T1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MBT35200MT2G 安森美	完全替代	SNSS35200MR6T1G和MBT35200MT2G的区别
MBT35200MT1G 安森美	类似代替	SNSS35200MR6T1G和MBT35200MT1G的区别
NSS35200MR6T1G 安森美	类似代替	SNSS35200MR6T1G和NSS35200MR6T1G的区别