FQP9N30和STP12NK30Z

对比图

型号 FQP9N30 STP12NK30Z FQP14N30

描述 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP12NK30Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 98 W 90 W 147 W

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

上升时间 120 ns 20 ns 145 ns

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 98 W 90 W 147 W

下降时间 48 ns 10 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 98W (Tc) 90W (Tc) 147 W

额定电压(DC) 300 V 300 V -

额定电流 9.00 A 9.00 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 450 mΩ 0.4 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 300 V 300 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3.75 V -

输入电容 - 670 pF -

长度 - - 10.1 mm

宽度 4.7 mm - 4.7 mm

高度 - - 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -