对比图
型号 FCPF9N60NT STF13NM60N SPA15N60CFD
描述 N沟道MOSFET 600V ， 9A ， 0.385Ω N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385ΩN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsCoolMOSTM功率晶体管特性的内在快速恢复体二极管 CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.33 Ω 360 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 29.8 W 25 W 34 W
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 9A 5.50 A 13.4 A
上升时间 8.7 ns 8 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 1240pF @100V(Vds) 790pF @50V(Vds) 1820pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 29.8 W 25 W 34 W
下降时间 10.2 ns 10 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 29.8W (Tc) 25W (Tc) 34000 mW
通道数 - 1 -
输入电容 - 790 pF -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 10.36 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 16.07 mm 16.4 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
香港进出口证 - NLR -