STP6NK60ZFP和STP7NK80ZFP

对比图

型号 STP6NK60ZFP STP7NK80ZFP 2SK3562

描述 STMICROELECTRONICS  STP6NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP7NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 VTO-220SIS N-CH 600V 6A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 1.5 Ω 0.9 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 30 W 40 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 800 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 800 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 5.20 A 6.00 A

上升时间 14 ns 12 ns -

输入电容(Ciss) 905pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 30 W 30 W -

下降时间 19 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 30W (Tc) -

额定功率 - 30 W -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.3 mm 9.3 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -