FDS4488和STS11NF30L

对比图

型号 FDS4488 STS11NF30L FDS9435A

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFDS9435A 系列 30 V 50 mOhm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - - 8

漏源极电阻 22.0 mΩ 0.0085 Ω 0.042 Ω

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 7.5 ns 39 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 927pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 528pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 1 W

下降时间 5 ns 16 ns 9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2500 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 7.90 A 11.0 A -

额定功率 - 2.5 W -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±18.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.90 A 11.0 A -

输入电容 927 pF - -

栅电荷 9.50 nC - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -