MBT3906DW1T1G和MMDT3906-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT3906DW1T1G MMDT3906-7-F MBT3906DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MBT3906DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363DIODES INC.  MMDT3906-7-F  双极晶体管阵列, 双路, PNP, -40 V, 200 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-363双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-70-6

频率 250 MHz 250 MHz -

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA -200 mA

额定功率 150 mW 0.2 W -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 6 6 -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 150 mW 200 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) 60 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW -

增益频宽积 - - 250 MHz

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 0.9 mm

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台