对比图
型号 SPP04N80C3 SPP08N80C3 FQA65N20
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFETINFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 VQFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3
额定电压(DC) 800 V 800 V 200 V
额定电流 4.00 A 8.00 A 65.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.1 Ω 0.56 Ω 32 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 63 W 104 W 310 W
阈值电压 3 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 200 V
漏源击穿电压 800 V - 200 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 8.00 A 65.0 A
上升时间 15 ns 15 ns 640 ns
输入电容(Ciss) 570pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 7900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 63 W 104 W 310 W
下降时间 12 ns 7 ns 275 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 104W (Tc) 310 W
额定功率 63 W 104 W -
通道数 1 1 -
长度 10 mm 10.36 mm 15.8 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 5 mm
高度 15.65 mm 15.95 mm 18.9 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99