PD55015-E和PD55015S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55015-E PD55015S-E PD55015TR-E

描述 STMICROELECTRONICS  PD55015-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RFRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsPD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道 增强模式 射频 功率晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电流 5 A 5 A 5 A

耗散功率 73 W 73 W 73000 mW

漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V

输出功率 15 W 15 W 15 W

增益 14 dB 14 dB 14 dB

测试电流 150 mA 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) 89pF @12.5V(Vds) 89pF @12.5V(Vds) 89pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 73000 mW 73000 mW 73000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A -

针脚数 3 - -

输入电容 89 pF - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 9.6 mm 7.5 mm -

宽度 9.5 mm 9.4 mm -

高度 3.6 mm 3.5 mm -

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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