对比图
型号 JANS2N2369A JANTX2N2369A JANTXV2N2369A
描述 TO-18 NPN 15VTrans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18JANTXV Series 15V 360mW Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-206AA (TO-18)
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-18 TO-18 TO-18
耗散功率 - 0.36 W 0.6 W
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @100mA, 1V 20 @100mA, 1V
额定功率(Max) - 360 mW 360 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 360 mW 360 mW 360 mW
极性 NPN - -
封装 TO-18 TO-18 TO-18
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Bag Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -