对比图
型号 FQAF13N80 SPP11N80C3 STD15NF10T4
描述 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 800 V 800 V 100 V
额定电流 8.00 A 11.0 A 23.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 750 mΩ 0.39 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 156 W 70 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 100 V
漏源击穿电压 800 V - 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 11.0 A 23.0 A
上升时间 150 ns 15 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 120 W 156 W 70 W
下降时间 110 ns 7 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120W (Tc) 156 W 70W (Tc)
额定功率 - 156 W -
长度 15.7 mm 10.36 mm 6.6 mm
宽度 5.7 mm 4.57 mm 6.2 mm
高度 16.7 mm 9.45 mm 2.4 mm
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99