对比图
型号 BSO4822 STS12NF30L STS12NH3LL
描述 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-TransistorSTMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 VN沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 12.7 A 12.0 A 12.0 A
漏源极电阻 - 0.008 Ω 8.00 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.7A 12.0 A 12.0 A
上升时间 - 90 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 1640pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 965pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.7 W
下降时间 - 35 ns 8.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.7W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 8 -
阈值电压 - 1 V -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.25 mm 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -