PD57006-E和PD57006TR-E

对比图

型号 PD57006-E PD57006TR-E PD57006STR-E

描述 STMICROELECTRONICS  PD57006-E  晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOICRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

耗散功率 20 W 20000 mW 20000 mW

漏源极电压(Vds) 65 V 65 V 65 V

输出功率 6 W 6 W 6 W

增益 15 dB 15 dB 15 dB

测试电流 70 mA 70 mA 70 mA

输入电容(Ciss) 27pF @28V(Vds) 27pF @28V(Vds) 27pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 20000 mW

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电流 1 A - -

额定功率 20 W - -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 5 V - -

漏源击穿电压 65.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.00 A - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -