FDB6035AL和FDB6035AL_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB6035AL FDB6035AL_NL FDB8880

描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-263 TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 48A 54.0 A

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 - - 54.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 12.5 mΩ - 0.0095 Ω

耗散功率 58.0 W - 55 W

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 1.24 nF

栅电荷 - - 22.0 nC

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

上升时间 - - 107 ns

输入电容(Ciss) - - 1240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 55 W

下降时间 - - 51 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 55 W

封装 TO-263 TO-263 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 11.33 mm

高度 - - 4.83 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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