IRF540ZPBF和STP40NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF540ZPBF STP40NF10 IRF540ZSTRLPBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 21Milliohms; ID 36A; TO-220AB; PD 92W; gFS 36VSTMICROELECTRONICS  STP40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V100V,36A,26.5mΩ,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 36.0 A 50.0 A -

额定功率 - 150 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 26.5 mΩ 0.025 Ω 26.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 92 W 150 W 92 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 50.0 A 36.0 A

上升时间 51.0 ns 64 ns -

输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 92 W 150 W 92 W

下降时间 39 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

产品系列 IRF540Z - IRF540ZS

输入电容 1770pF @25V - 1770pF @25V

正向电压 1.30 V - -

热阻 1.64℃/W (RθJC) - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 - 4.6 mm -

高度 9.02 mm 9.15 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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