BUZ11A和NTD3055L104T4G

对比图

型号 BUZ11A NTD3055L104T4G IRFZ24N

描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 VN沟道 55V 17A

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-252-3 TO-220

额定电压(DC) - 60.0 V 55.0 V

额定电流 - 12.0 A 17.0 A

漏源极电阻 - 0.089 Ω 70.0 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 48 W 45.0 W

产品系列 - - IRFZ24N

漏源极电压(Vds) - 60 V 55.0 V

漏源击穿电压 - 60 V 55.0 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 12.0 A 17.0 A

上升时间 95 ns 104 ns 34 ns

输入电容(Ciss) - 440pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 40.5 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.5 W 45000 mW

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

阈值电压 - 1.6 V -

额定功率(Max) - 1.5 W -

封装 TO-220 TO-252-3 TO-220

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -