IPS1011SPBF和VNB10N07-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS1011SPBF VNB10N07-E VNB20N07-E

描述 Power Switch Lo Side 85A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube电源负载分配开关, 低压侧, 18 V输入, 10 A, 0.1 ohm, 1输出, TO-263-3OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器开关电源FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 3.1 W 50 W 83 W

输出接口数 1 1 1

输出电流 6.5 A 120 A 28 A

供电电流 - 0.25 mA 0.25 mA

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 140 mΩ 50 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 50 W 83 W

漏源击穿电压 - 10.0 V 70 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 10.0 A 20.0 A

上升时间 - - 240 ns

输入电压(Max) - 18 V 18 V

输出电流(Max) 6.5 A 7 A 14 A

输出电流(Min) - 7 A 14 A

输入数 - 1 1

下降时间 - - 150 ns

耗散功率(Max) - 50000 mW 83000 mW

输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V 18 V

工作电压 36.0V (max) - -

输入电压(DC) 5.50 V - -

产品系列 IPS1011S - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

长度 - - 10.28 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台