对比图
型号 FQPF7N80C STP7NK80ZFP STP5NK80ZFP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP5NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 6.60 A - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.57 Ω 1.5 Ω 1.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 56 W 30 W 30 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.60 A 5.20 A 4.30 A
上升时间 100 ns 12 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1680pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 56 W 30 W 30 W
下降时间 60 ns 20 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 56W (Tc) 30W (Tc) 30000 mW
额定功率 - 30 W 30 W
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.19 mm 9.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -