对比图
型号 IPD60R520C6 IPD60R520C6ATMA1
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 66 W 66 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 8.1A 8.1A
上升时间 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 66 W 66 W
下降时间 14 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 66W (Tc) 66W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -