对比图
型号 R6020ANX R6020ENX IXFR36N60P
描述 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFETN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHMIXYS SEMICONDUCTOR IXFR36N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 200 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 36.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.17 Ω 0.2 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 85 W 68 W 208 W
阈值电压 - 4 V 5 V
输入电容 - - 5.80 nF
栅电荷 - - 102 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - 20A 20.0 A
上升时间 60 ns 53 ns 25 ns
隔离电压 - - 2.50 kV
输入电容(Ciss) 2040pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W - 208 W
下降时间 70 ns 67 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 208W (Tc)
长度 - 10.3 mm 16.13 mm
宽度 - 4.8 mm 5.21 mm
高度 - 15.4 mm 21.34 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not For New Designs Active Active
包装方式 Bulk Bulk Tube
最小包装 - 1000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -