对比图
型号 IRF7807PBF STS11N3LLH5 STS11NF30L
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 13.0 A - 11.0 A
漏源极电阻 25 mΩ 0.0117 Ω 0.0085 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W
产品系列 IRF7807 - -
阈值电压 1 V 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.30 A - 11.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 - - 2.5 W
栅源击穿电压 - - ±18.0 V
上升时间 - - 39 ns
输入电容(Ciss) - 724pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.7 W 2.5 W
下降时间 - - 16 ns
耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2500 mW
针脚数 - 8 -
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.25 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17