对比图
型号 FDP3652 STP80NF10 IRFZ14PBF
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 60.0 V
额定电流 61.0 A 80.0 A 10.0 A
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.014 Ω 0.012 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 300 W 43 W
阈值电压 4 V 3 V 2 V
输入电容 2.88 nF 5500 pF -
栅电荷 41.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 61.0 A 80.0 A 10.0 A
上升时间 85 ns 80 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 300 W 43 W
下降时间 45 ns 60 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 300W (Tc) 43 W
额定功率 - 300 W -
针脚数 - 3 3
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -