IRF5210STRRPBF和NTB25P06T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5210STRRPBF NTB25P06T4G FQB47P06TM_AM002

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB47P06TM_AM002  晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -25.0 A -47.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 2

漏源极电阻 - 0.07 Ω 0.026 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.1 W 120 W 160 W

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) -40.0 A 27.5 A -47.0 A

上升时间 - 72 ns 450 ns

输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 120 W 3.75 W

下降时间 - 190 ns 195 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 120 W 3.75 W

长度 - 10.29 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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