对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V 新VISHAY SIHP22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.132 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 227 W 227 W
阈值电压 3.5 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
上升时间 - 68 ns
输入电容(Ciss) 2434pF @380V(Vds) 1920pF @100V(Vds)
下降时间 - 54 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 227W (Tc) 227 W
连续漏极电流(Ids) 23A -
长度 - 10.51 mm
宽度 - 4.65 mm
高度 - 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube
产品生命周期 Unknown -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 -