对比图
型号 FDC6318P ZXM62P03E6TC FDC6306P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6318P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6306P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.9 A, -20 V, 0.127 ohm, -4.5 V, -900 mV
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) -12.0 V - -20.0 V
额定电流 -2.50 A - -1.90 A
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 90 mΩ 230 mΩ 0.127 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 960 mW 625 mW 960 mW
输入电容 455 pF - 441 pF
栅电荷 5.40 nC - 3.00 nC
漏源极电压(Vds) 12 V 30 V 20 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) -2.50 A 1.50 A -1.90 A
上升时间 14 ns 6.4 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 455pF @6V(Vds) 330pF @25V(Vds) 441pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW - 700 mW
下降时间 17 ns 6.4 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.96 W 625mW (Ta) 0.96 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 30 V -
阈值电压 700 mV - -
长度 3 mm 3.1 mm 3 mm
宽度 1.7 mm 1.8 mm 1.7 mm
高度 1 mm 1.3 mm 1 mm
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99