对比图
描述 N沟道MOSFET 500V ， 5.5A ， 1.15ヘ N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 89W (Tc) 89 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
上升时间 - 28.3 ns
输入电容(Ciss) 960pF @25V(Vds) 960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 89 W 89 W
下降时间 - 20.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc)
极性 N-Channel N-CH
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.5A
漏源极电阻 1.00 Ω -
漏源击穿电压 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free