对比图
型号 IPB048N06LG IPB050N06NGATMA1 IPD048N06L3G
描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorD2PAK N-CH 60V 100A60V,4.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263 TO-263-2 TO-252
极性 - N-CH N-Channel
上升时间 - - 5 ns
下降时间 - - 12 ns
耗散功率 - 300W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 100 A 100A -
输入电容(Ciss) 7600pF @30V(Vds) 6100pF @30V(Vds) -
耗散功率(Max) - 300W (Tc) -
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 100 A - -
输入电容 7.60 nF - -
栅电荷 225 nC - -
额定功率(Max) 300 W - -
封装 TO-263 TO-263-2 TO-252
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC