BC372G和MMBT3904LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC372G MMBT3904LT3G BC548A

描述 高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92

频率 - 300 MHz -

额定电压(DC) 100 V 40.0 V -

额定电流 1.00 A 200 mA -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1500 mW 225 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 40 V -

集电极最大允许电流 1A 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 100 @10mA, 1V -

额定功率(Max) 625 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 300 mW 500 mW

增益带宽 200 MHz - -

增益频宽积 - - 300 MHz

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 5.33 mm 1.01 mm -

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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