对比图
型号 IRF1312PBF STP80NF10 STP120NF10
描述 Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3Pin(3+Tab) TO-220ABN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 80.0 V 100 V 100 V
额定电流 95.0 A 80.0 A 120 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.012 Ω 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 300 W 312 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 80.0 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 95.0 A 80.0 A 110 A
上升时间 51.0 ns 80 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 5450pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 300 W 312 W
下降时间 - 60 ns 68 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 312000 mW
额定功率 210 W 300 W -
输入电容 - 5500 pF -
产品系列 IRF1312 - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99