对比图
型号 STD95NH02LT4 SUD50N02-06P-E3 STD100NH02LT4
描述 N沟道24V - 0.0039ohm - 80A DPAK超低栅极电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFETTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3Pin(2+Tab) DPAKN沟道24V - 0.0042 ？ - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042з - 60A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
耗散功率 100 W 6.8W (Ta), 65W (Tc) 100 W
漏源极电压(Vds) 24 V 20 V 24 V
输入电容(Ciss) 2070pF @15V(Vds) 2550pF @10V(Vds) 3940pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 100W (Tc) 6.8W (Ta), 65W (Tc) 100W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - 24.0 V
额定电流 80.0 A - 60.0 A
漏源极电阻 0.0039 Ω - 5.00 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
漏源击穿电压 24.0 V - 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 60.0 A
上升时间 110 ns - 200 ns
额定功率(Max) 100 W - 100 W
下降时间 20 ns - 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.6 mm
宽度 6.2 mm - 6.2 mm
高度 2.4 mm - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free