对比图
型号 FDD6630A IRLR7807ZPBF STD17NF03LT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 VINFINEON IRLR7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 21.0 A - 17.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 28 mΩ 0.0138 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 28 W 40 W 30 W
阈值电压 1.7 V 1.8 V 1.5 V
输入电容 462 pF - 320 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 43A 17.0 A
上升时间 8 ns 28 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 462pF @15V(Vds) 780pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 40 W 30 W
下降时间 13 ns 3.5 ns 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 28 W 40W (Tc) 30W (Tc)
栅电荷 5.00 nC - -
额定功率 - 40 W -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99