CSD17559Q5和CSD17559Q5T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17559Q5 CSD17559Q5T BSC011N03LS

描述 30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150INFINEON  BSC011N03LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 8-VSON-CLIP 8-VSON-CLIP PG-TDSON-8

针脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.2 W 3.2 W 96 W

阈值电压 1.4 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 37A

上升时间 41 ns 41 ns 8.8 ns

输入电容(Ciss) 9200pF @15V(Vds) 7070pF @15V(Vds) 4700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3.2 W - 96 W

下降时间 14 ns 14 ns 6.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 96W (Tc) 3200 mW 2.5W (Ta), 96W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.0009 Ω

长度 6.1 mm 6 mm 6.1 mm

宽度 5.1 mm 5 mm 5.15 mm

高度 1.05 mm 1 mm 1.1 mm

封装 8-VSON-CLIP 8-VSON-CLIP PG-TDSON-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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