对比图
型号 IPB054N06N3G IPB054N06N3GATMA1 SPB80N06S2-H5
描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 -
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 115 W 115 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 80.0 A
输入电容 - 5000 pF 550 pF
栅电荷 - - 155 nC
连续漏极电流(Ids) - 80A 80.0 A
输入电容(Ciss) - 5000pF @30V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 300 W
耗散功率(Max) - 115 W 300W (Tc)
额定功率 - 115 W -
上升时间 - 68 ns -
下降时间 - 9 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.31 mm -
宽度 - 11.05 mm -
高度 - 4.57 mm -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)