对比图
型号 CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19536KTT
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD19505KTT 晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V 新80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、3.1mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300 W 375 W
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A
上升时间 5 ns 5 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 7920pF @40V(Vds) 7920pF @40V(Vds) 12000pF @50V(Vds)
下降时间 3 ns 3 ns 6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0026 Ω 3.1 mΩ -
阈值电压 2.6 V 2.6 V -
漏源击穿电压 - 80 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 9.25 mm -
高度 - 4.7 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -