对比图
型号 STW20NM50 STW20NM50FD STW23NM50N
描述 STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 250 mΩ 0.25 Ω 0.162 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 214 W 214 W 125 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 550 V 500 V 500 V
上升时间 16 ns 20 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 214 W 214 W 125 W
下降时间 8.5 ns 15 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214W (Tc) 214W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) 550 V 500 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -
通道数 - 1 -
长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - NLR -