对比图
描述 双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor EpitaxialON SEMICONDUCTOR MMUN2232LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-92-3 SOT-23-3
耗散功率 300 mW 400 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 20 @10mA, 5V 15 @5mA, 10V
额定功率(Max) 300 mW 246 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 250 MHz -
耗散功率(Max) 300 mW 400 mW
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA
无卤素状态 - Halogen Free
极性 NPN NPN
集电极最大允许电流 100mA 100mA
最大电流放大倍数(hFE) 20 -
封装 TO-92-3 SOT-23-3
长度 5.2 mm 2.9 mm
宽度 4.19 mm 1.3 mm
高度 5.33 mm 0.94 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Box Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99