对比图
型号 STU10NM60N STU7NM60N STU75N3LLH6-S
描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 VN沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.53 Ω 0.84 Ω 4.2 mΩ
耗散功率 70 W 45 W 60W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 30 V
漏源击穿电压 - 600 V 30 V
输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 363pF @50V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 70W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 3 V 3 V -
上升时间 12 ns 10 ns -
额定功率(Max) 70 W 45 W -
下降时间 15 ns 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
连续漏极电流(Ids) 10A - -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 2.4 mm 2.4 mm -
高度 6.9 mm 6.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -