FDU8876和FDU8876_NL

对比图

型号 FDU8876 FDU8876_NL ISL9N308AD3

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251 TO-220-3

漏源极电阻 8.2 mΩ - 8.00 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 70 W - 100 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 73.0 A 15A 50.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 116 A - -

通道数 1 - -

输入电容 1.70 nF - -

栅电荷 34.0 nC - -

上升时间 91 ns - -

输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 70 W - -

下降时间 37 ns - -

耗散功率(Max) 70W (Tc) - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.7 mm - 4.7 mm

高度 16.3 mm - 16.3 mm

封装 TO-251-3 TO-251 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

ECCN代码 - EAR99 -