对比图
型号 CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314BV18-250BZXC CY7C1314BV18-167BZC
描述 18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
引脚数 - 165 165
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
位数 - 36 36
存取时间 - 0.45 ns -
存取时间(Max) - 0.45 ns 0.5 ns
工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃
电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free