BYG10MHE3/TR和BYG10M-E3/TR3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BYG10MHE3/TR BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR

描述 VISHAY BYG10MHE3/TR Standard Power Diode, 1kV, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30ABYG10M-E3/TR3 Diode Stand ard Recovery Rectifier 1K V 1.5A 2Pin SMA T/R RoHS1.5A,Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型,高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管整流二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 - 2

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

正向电压 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A

反向恢复时间 4 µs 4 µs 4 µs

正向电流 1.5 A - 1.5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A - 30 A

正向电压(Max) 1.15 V 1.15V @1.5A 1.15 V

正向电流(Max) - - 1.5 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - - 4.5 mm

宽度 - - 2.79 mm

高度 - - 2.09 mm

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台