IDH08S60C和IDT03S60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH08S60C IDT03S60C IDH04S60C

描述 INFINEON  IDH08S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 19 nC, TO-2202ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode2ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

额定功率 75 W - 42 W

负载电流 8 A - 4 A

正向电压 - - 1.7 V

耗散功率 - - 42 W

正向电流 8 A - 4 A

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

反向恢复时间 0 ns - -

正向电压(Max) 1.7V @8A - -

工作结温(Max) 175 ℃ - -

正向电流(Max) - 4.5 A -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - 55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台