JANSR2N3637和JANTXV2N3637

对比图

型号 JANSR2N3637 JANTXV2N3637 JANTX2N3637

描述 Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3Pin TO-39PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin TO-39 Bulk

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-39-3

耗散功率 1000 mW 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 175 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

极性 - - PNP

封装 TO-39 TO-39 TO-39-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bag Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

军工级 - - Yes

ECCN代码 - EAR99 -