对比图
型号 SIHG24N65E-GE3 SPW24N60C3FKSA1 SIHG24N65E-E3
描述 VISHAY SIHG24N65E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 24A, TO-247AC-3INFINEON SPW24N60C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 VE系列功率MOSFET E Series Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247 TO-247-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.12 Ω 0.14 Ω 0.12 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 240 W 250 W
阈值电压 2 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
输入电容(Ciss) 2740pF @100V(Vds) 3000pF @25V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 250 W 240 W -
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 24.3 A -
输入电容 - 3.00 nF -
栅电荷 - 135 nC -
连续漏极电流(Ids) - 24.3 A -
上升时间 - 21 ns -
下降时间 - 14 ns -
长度 15.87 mm 16.03 mm -
宽度 5.31 mm 5.16 mm -
高度 20.7 mm 21.1 mm -
封装 TO-247 TO-247 TO-247-3
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -