对比图
型号 SIHF30N60E-E3 SIHF30N60E-GE3 IPA60R125C6XKSA1
描述 MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON IPA60R125C6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
额定功率 - - 34 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.104 Ω 0.104 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 37 W 37 W 34 W
阈值电压 2 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 30A
上升时间 - 32 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds) 2127pF @100V(Vds)
下降时间 - 36 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 37 W 37 W 34000 mW
长度 10.63 mm 10.63 mm 10.65 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.9 mm
高度 16.12 mm 16.12 mm 16.15 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
产品生命周期 - - Active
包装方式 - Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -