IPB034N03LG和IPB034N03LGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB034N03LG IPB034N03LGATMA1 IPB05N03LB

描述 OptiMOSâ ?? ¢ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-TransistorINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 VOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-7 TO-263 TO-263-3-2

额定功率 - 94 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0028 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 94 W 94W (Tc)

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 80.0 A

上升时间 6.4 ns 6.4 ns -

输入电容(Ciss) - 4000pF @15V(Vds) 3209pF @15V(Vds)

下降时间 5.4 ns 5.4 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 94 W 94W (Tc)

通道数 1 - -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 80.0 A

输入电容 - - 3.21 nF

栅电荷 - - 25.0 nC

长度 - 10.31 mm -

宽度 9.45 mm 9.45 mm -

高度 - 4.57 mm -

封装 TO-263-7 TO-263 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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