对比图
型号 FDB050AN06A0 NTB75N06T4G PHB160NQ08T,118
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。75A,60V功率MOSFETD2PAK N-CH 75V 75A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 80.0 A 75.0 A -
通道数 1 - -
漏源极电阻 4.30 mΩ 9.50 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 245 W 214 W 300 W
输入电容 3.90 nF - -
栅电荷 61.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 75.0 A 75A
上升时间 160 ns 112 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 245 W 2.4 W 300 W
下降时间 29 ns 100 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 245W (Tc) 2.4 W 300W (Tc)
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -