对比图
型号 SPP10N10 STP120NF10 SPP04N80C3
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 800 V
额定电流 10.3 A 120 A 4.00 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.009 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 50W (Tc) 312 W 63 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 800 V
漏源击穿电压 - 100 V 800 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 10.3 A 110 A 4.00 A
上升时间 46 ns 90 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 426pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 312 W 63 W
下降时间 23 ns 68 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 312000 mW 63W (Tc)
输入电容 426 pF - -
栅电荷 19.4 nC - -
额定功率 - - 63 W
长度 - 10.4 mm 10 mm
宽度 - 4.6 mm 4.4 mm
高度 - 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -