对比图
型号 STL21N65M5 STL23NM60ND STL42N65M5
描述 N沟道650 V， 0.175 Ω ， 17的PowerFLAT ？ （ 8×8 ） HV超低栅极电荷的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STL23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 650V 34A 4Pin Power Flat T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 5
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5 PowerFlat-4 PowerFLAT-8x8-HV-5
通道数 - 1 1
针脚数 - 5 -
漏源极电阻 - 0.15 Ω 79 mΩ
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 125 W 150 W 208 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V -
上升时间 10 ns 45 ns -
输入电容(Ciss) 1950pF @100V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 4650pF @100V(Vds)
下降时间 12 ns 40 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) 3W (Ta), 208W (Tc)
漏源击穿电压 - - 650 V
连续漏极电流(Ids) 17A - -
额定功率(Max) 3 W - -
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5 PowerFlat-4 PowerFLAT-8x8-HV-5
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -