FDS6614A和FDS8882

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6614A FDS8882 NTMD4820NR2G

描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8882  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.0132 ohm, 10 V, 1.7 V30V,6.4A功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 18.0 mΩ 0.0132 Ω 0.015 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2 W

阈值电压 - 1.7 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 9.30 A 9A 6.40 A

上升时间 11 ns 3 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @15V(Vds) 940pF @15V(Vds) 940pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 750 mW

下降时间 8 ns 4 ns 6.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2 W

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 9.30 A - -

输入电容 1.16 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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